metal gate 製程
metal gate 製程

...製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日—WhyPolySitoHKMG.High-KMetalGate;隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon(N+/P+Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

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28奈米製程

... 製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — 而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k /metal gate實用化的 ...

TW201904063A

本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high-k last)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Why PolySi to HKMG. High-K Metal Gate; 隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon (N+/P+ Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

奈米級P型高介電金屬閘極之金氧半電晶體製程最佳化與 ...

由 YW Chen 著作 · 2012 — 為了維持互補型金氧半電晶體（CMOS）持續的微縮尺寸，高介電常數（High-k）介電層與金屬閘電極（Metal gate）技術已成為邏輯CMOS製程技術基礎。然而金屬閘電極的功函數 ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日 — 目前最先進的5 奈米製程，即是採用FinFET 架構來製作。 ... metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容 ... 製程，與現今業界之FinFET 製程具有良好的相容性 ...

金屬閘極與高介電層界面製程對高功函數 ...

我們發現對元件的High-K-Metal gate 界面作CF4 電漿處理，並在製程中施加較低溫的PMA，可得到功函數較高的元件。CF4 電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數，需注意的是，當 ...

高介電係數閘極介層技術

本文旨在介紹其技術背景、電性需求、. 材料選擇的考量、相關的製程整合，以及目前論文與專利的相關研究成果。 關鍵詞. 介電係數(Dielectric Constant)；閘極介層(Gate ...

高介電常數金屬閘極（High

2019年8月5日 — ... 製程技術到28 nm 和20 nm，閘極介電層材料的改變帶來了更好的電性功能表現，取代了傳統的複晶閘極（Poly-Si Gate）和金屬矽化物閘極（Metal Salicide Gate ...

metalgate製程

...製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k/metalgate實用化的 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後...

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